طراحی و شبیه سازی یک تمام جمع کننده جدید در تکنولوژی نانو لوله ی کربنی با عملکرد بهینه

Authors

عباس اسدی آقبلاغی

مهران عمادی

abstract

مدار تمام جمع کننده، به دلیل توانایی در پیاده سازی چهار عمل اصلی محاسباتی (جمع، تفریق، ضرب و تقسیم) به عنوان یکی از مهمترین و پرکاربردترین بخش های اصلی پردازنده های دیجیتالی در طرّاحی مدارهای مجتمع، شناخته می شود. بدین منظور، در این مقاله تلاش شده است که سلول تمام جمع کننده ی جدیدی با بهره گیری از تکنولوژی ترانزیستورهای نانولوله ی کربنی، جهت دستیابی به مداری با عملکردی مناسب و توان مصرفی کم، ارائه گردد. طرح پیشنهادی از 12 ترانزیستور cntfet که با استفاده از منطق ترانزیستورهای عبور به هم متصل شده اند، تشکیل شده است. ترانزیستورهای نانولوله ی کربنی در توان مصرفی و سرعت عملکرد، برتری قابل توجهی نسبت به ترانزیستورهایmosfet   از خود نشان می دهند. شبیه سازی طرح پیشنهادی، با استفاده از نرم افزار hspice و بر مبنای مدل cntfet، با ولتاژ اعمالی  v65/0 در سه فرکانس و سه مقدار خازن بار متفاوت، انجام می شود و نتایج به دست آمده، برتری طرح پیشنهادی را نسبت به مدارهای نظیر ارائـه شده در مقالات پیشین، اثبـات می کند

Upgrade to premium to download articles

Sign up to access the full text

Already have an account?login

similar resources

طراحی و شبیه‌سازی یک تمام جمع‌کننده جدید در تکنولوژی نانو لوله‌ی کربنی با عملکرد بهینه

مدار تمام جمع کننده، به دلیل توانایی در پیاده‌سازی چهار عمل اصلی محاسباتی (جمع، تفریق، ضرب و تقسیم) به عنوان یکی از مهمترین و پرکاربردترین بخش‌های اصلی پردازنده‌های دیجیتالی در طرّاحی مدارهای مجتمع، شناخته می‌شود. بدین منظور، در این مقاله تلاش شده است که سلول تمام جمع‌کننده‌ی جدیدی با بهره‌گیری از تکنولوژی ترانزیستورهای نانولوله‌ی کربنی، جهت دستیابی به مداری با عملکردی مناسب و توان مصرفی کم، ارا...

full text

طراحی و شبیه‌سازی یک تمام جمع‌کننده جدید در تکنولوژی نانو لوله‌ی کربنی با عملکرد بهینه

مدار تمام جمع کننده، به دلیل توانایی در پیاده‌سازی چهار عمل اصلی محاسباتی (جمع، تفریق، ضرب و تقسیم) به عنوان یکی از مهمترین و پرکاربردترین بخش‌های اصلی پردازنده‌های دیجیتالی در طرّاحی مدارهای مجتمع، شناخته می‌شود. بدین منظور، در این مقاله تلاش شده است که سلول تمام جمع‌کننده‌ی جدیدی با بهره‌گیری از تکنولوژی ترانزیستورهای نانولوله‌ی کربنی، جهت دستیابی به مداری با عملکردی مناسب و توان مصرفی کم، ارا...

full text

شبیه سازی دینامیک ملکولی ذخیره سازی هیدروژن در نانو ذرات FeTi و نانو لوله های کربنی تک لایه (SWNT)

یافتن روشی مناسب برای ذخیره سازی مقدار زیادی گاز هیدروژن و با ایمنی لازم  برای استفاده در خودروها و سایر تجهیزات همچنان توجه مراکز پژوهشی انرژی و محیط زیست را به خود جلب نموده است. در این پژوهش با انجام شبیه سازی دینامیک ملکولی (MD) میزان هیدروژن جذب شده در سیستم نانو ذرات  FeTi و نانو لوله ها کربنی تک لایه (SWNT) در محدوده دمایی 100-60 کلوین، با محاسبه مقدار جذب هیدروژن (θ)، آنتالپی جذب (q) و ...

full text

یک سلول XOR جدید دو ورودی مبتنی بر CNTFET با توان نشتی فوق العاده پایین برای تمام جمع کننده های ولتاژ پایین و توان پایین

گیت XOR یکی از بلوک های سازنده پایه در یک مدار تمام جمع کننده می باشد که بهبود عملکرد آن می تواند به یک تمام جمع کننده بهبود یافته منجر شود. بدین منظور، در این مقاله، یک سلول XOR جدید ولتاژ پایین مبتنی بر ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET) پیشنهاد شده است. اهداف طراحی اصلی برای این مدار جدید، اتلاف توان کم، جریان نشتی پایین و سوئینگ ولتاژ کامل در یک ولتاژ تغذیه کم (Vdd = 0.5 V) م...

full text

My Resources

Save resource for easier access later


Journal title:
روش های هوشمند در صنعت برق

Publisher: دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد

ISSN 2322-3871

volume 6

issue 21 2015

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023